RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
65
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
45
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2841
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link