RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
65
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2841
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link