RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
65
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link