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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
65
Autour de -150% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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