RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link