RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
65
Autour de -141% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
5300
Autour de 4.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
23400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link