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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
5300
Por volta de 4.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
23400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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