RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
65
Autour de -55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
42
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2074
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link