RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
92
Autour de -241% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2964
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link