RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de -124% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link