RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
65
Autour de -81% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2835
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB Comparaison des RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link