RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
65
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3005
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link