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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
65
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
38
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3005
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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