RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
65
Autour de -150% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link