RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
65
Autour de -91% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link