RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
65
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link