RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
65
Autour de -195% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link