RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link