RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
33
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link