RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link