RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link