RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link