RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link