RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link