RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link