RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link