RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3312
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link