RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3312
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link