RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link