RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link