RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link