RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link