RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3587
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link