RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3587
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link