RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3058
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link