RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
32
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link