RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link