RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link