RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2618
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link