RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de 11% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link