RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link