RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
11.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2062
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link