RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
44
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2062
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link