RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2062
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link