RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
44
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2062
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link