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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
11.4
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2062
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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