RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3116
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link