RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
73
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
73
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link