RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
34
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3083
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link