Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 53
    Autour de 55% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16 left arrow 10.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.5 left arrow 8.0
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    24 left arrow 53
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.0 left arrow 10.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.5 left arrow 8.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2925 left arrow 2319
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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