RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link